Samsungはメモリ技術のための入札でGrandisを買収する

三星電子は、スピン転送トルク・ランダム・アクセス・メモリ(STT-RAM)に特化したシリコンバレーに本拠を置くGrandis社を買収すると発表した。

Samsungは、同社がR&D事業に統合されるとしている。具体的には、新しい半導体材料や構造物を用いて次世代のメモリを開発することに注力している。サムスンはもちろん、メモリ分野の主要プレーヤーです。

Grandisによれば、STT-RAMは、DRAMの容量とコストのメリットをSRAMの高速読み書き性能とフラッシュメモリの不揮発性と組み合わせると言います。

その性能は他の将来の不揮発性メモリ技術を上回り、第1世代のフィールドスイッチ型MRAMの欠点を解決します」と、同社のウェブサイトでは述べています。優れた書き込み選択性、45 nm技術ノード、低消費電力、およびより簡単なアーキテクチャと製造プロセスを提供します。

技術のしくみ

スピントランスファートルク(STT)スイッチングは1996年に理論的に予測され、2000年に金属薄膜で初めて実証された新しい物理現象です。STTスイッチング電流は当初は実用デバイスでの応用には高すぎますが、磁気トンネル接合(MTJ)にSTTスイッチングの多くの利点を適用する、新しい不揮発性メモリ技術の開発を目標として2002年に設立されました。グランディスの研究者は、スピントロニクスの先駆的研究に着手し、新しい磁性材料と革新的なMTJ構造を追求して、STTスイッチング電流を低減しました。グランディスは、このような材料研究の進歩と広範なモデリング、シミュレーション、統合、セルアーキテクチャ、回路およびシステム設計機能を通じ、スタンドアロンまたは内蔵のSTT-RAM不揮発性メモリをライセンシーに組み込むことを可能にするパッケージを開発しました。その製品。

サムスンはグランディスがなぜそんなにうまくいけばいいのか詳しくは分からなかったが、それはグランディスが開発した独自の技術による可能性が高い。 (グランディス氏は、米国における62件の特許を記憶している)技術、資産、人的資源はすべて契約で取得された。

価格の詳細は明らかにされていない。

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